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MUN2230T1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn

Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic

文件:144.37 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2230_15

Digital Transistors (BRT) R1 = 1 k, R2 = 1 k

文件:105.42 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2230_16

Digital Transistors (BRT)

文件:134.23 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2230T1

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

文件:150.44 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2230T1

Bias Resistor Transistors

文件:166.36 Kbytes 页数:18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2230T1G

Bias Resistor Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MUN2230T1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 1 k, R2 = 1 k

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安森美半导体

MUN2230T1G

Digital Transistors (BRT)

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安森美半导体

MUN2230T1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

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安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    MUN2230

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    MMUN2230

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

    β>35

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

详细参数

  • 型号:

    MUN2230

  • 制造商:

    ONSEMI

  • 制造商全称:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/ONSemiconductor/安森
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