MUN2230分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MUN2230 |
| 参数属性 | MUN2230 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 |
| 功能描述 | NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
1.54351 Mbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | WEITRON |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-23 20:10:00 |
| 人工找货 | MUN2230价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
MUN2230三极管、MUN2230晶体管、MUN2230晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
MMUN2230
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
β>35
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4
产品属性
- 产品编号：
MUN2230T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
3 @ 5mA，10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SC-59
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
SC-59 |
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