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MUN2215中文资料NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MUN2215

参数属性

MUN2215 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

功能描述

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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MUN2215规格书详情

描述 Description

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

简介

MUN2215属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的MUN2215晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MUN2215

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :160

  • R1 (kΩ)

    :10

  • R2 (kΩ)

    :Infinity

  • R1/R2 Typ

    :-

  • Vi(off) Max (V)

    :0.5

  • Vi(on) Min (V)

    :1.7

  • Package Type

    :SC-59-3

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