MUN2214中文资料NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MUN2214 |
参数属性 | MUN2214 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 |
功能描述 | NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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MUN2214规格书详情
特性 Features
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
简介
MUN2214属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的MUN2214晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
:MUN2214
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- IC Continuous (A)
:0.1
- V(BR)CEO Min (V)
:50
- hFE Min
:80
- R1 (kΩ)
:10
- R2 (kΩ)
:47
- R1/R2 Typ
:0.213
- Vi(off) Max (V)
:0.5
- Vi(on) Min (V)
:1.4
- Package Type
:SC-59-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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MOT |
23+ |
NA |
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ON |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
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询价 | ||
MUN2214T1 |
6172 |
6172 |
询价 |