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MUN2114T1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

MUN2114T1G
厂商型号

MUN2114T1G

参数属性

MUN2114T1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

功能描述

Bias Resistor Transistor
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

文件大小

236.97 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 19:22:00

MUN2114T1G规格书详情

MUN2114T1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安森美半导体公司制造生产的MUN2114T1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    MUN2114T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
SC-59-3
25000
ON全系列可订货
询价
ON/安森美
2021/2022+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
onsemi(安森美)
23+
SC59
6000
询价
ON/安森美
22+
SC-59
6000
只做原装,假一赔十
询价
ON/安森美
24+
SC-59
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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ON/安森美
21+
SC-59
13880
公司只售原装,支持实单
询价
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
ON(安森美)
6000
询价
ON/安森美
2022+
6455
原厂原装,假一罚十
询价