选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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onsemiSOT-23 |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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MOTOROLAPLCC |
2250 |
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100%全新原装公司现货供应!随时可发货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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MUN2111T3图片
MUN2111T3G中文资料Alldatasheet PDF
更多MUN2111T3功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MUN2111T3G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
MUN2111T3
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
35 @ 5mA,10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 300µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SC-59
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59