MUN2111中文资料Bias Resistor Transistor PNP Silicon数据手册Weitron规格书
| 厂商型号 |
MUN2111 |
| 参数属性 | MUN2111 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 |
| 功能描述 | Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Weitron Weitron Technology |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-1 14:08:00 |
| 人工找货 | MUN2111价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
MUN2111三极管、MUN2111晶体管、MUN2111晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
MMUN2111
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
β>35
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4
技术参数
- 产品编号：
MUN2111T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SC-59
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
SOT-23 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-23 |
12800 |
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询价 | ||
ON |
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SOT23 |
3000 |
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ONN |
24+ |
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24+ |
SOT-23 |
5000 |
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询价 | ||
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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SC-59 |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
16000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
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询价 |
