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MUBW35-12A8分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

MUBW35-12A8

参数属性

MUBW35-12A8 封装/外壳为E3;包装为盒;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 50A 225W E3

功能描述

Converter - Brake - Inverter Module
IGBT MODULE 1200V 50A 225W E3

封装外壳

E3

文件大小

111.61 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 10:31:00

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MUBW35-12A8规格书详情

MUBW35-12A8属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由艾赛斯制造生产的MUBW35-12A8晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

特性 Features

● High level of integration - only one power semiconductor module required for the whole drive

● NPT IGBT technology with low saturation voltage, low switching losses, high RBSOA and short circuit ruggedness

● Epitaxial free wheeling diodes with Hiperfast and soft reverse recovery

● Industry standard package with insulated copper base plate and soldering pins for PCB mounting

● Temperature sense included

Application: AC motor drives with

● Input from single or three phase grid

● Three phase synchronous or asynchronous motor

● electric braking operation

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MUBW35-12A8

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    三相反相器,带制动器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,35A

  • 输入:

    三相桥式整流器

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    E3

  • 供应商器件封装:

    E3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 50A 225W E3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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