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MTZJT-779.1B中文资料DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD数据手册ROHM规格书
MTZJT-779.1B规格书详情
简介
MTZJT-779.1B属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的MTZJT-779.1B二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
技术参数
更多- 产品编号：
MTZJT-779.1B
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
带盒（TB）
- 容差：
±3%
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-204AG，DO-34，轴向
- 供应商器件封装：
MSD
- 描述：
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMC |
24+ |
NA/ |
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ROHM |
24+ |
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ROHS |
ROHS |
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