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MTY100N10E中文资料摩托罗拉数据手册PDF规格书

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厂商型号

MTY100N10E

功能描述

TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

文件大小

216.62 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Motorola

中文名称

摩托罗拉

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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MTY100N10E规格书详情

TMOS E-FET™ Power Field Effect transistor

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, PWM motor controls, and other inductive loads. The avalanche energy capability is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

产品属性

  • 型号:

    MTY100N10E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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