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MTP4N50E_MCPL_TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS星佑电子

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    MTP4N50E

  • 产品分类:

    IC芯片

  • 生产厂商:

    MOT

  • 库存数量:

    3000

  • 产品封装:

    TO-220

  • 生产批号:

    06+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-10-30 10:32:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:MTP4N50E品牌:MOT

原装库存

  • 芯片型号:

    MTP4N50E

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    NJSEMI【新泽西半导体】详情

  • 厂商全称:

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 中文名称:

    新泽西半导体公司

  • 内容页数:

    2 页

  • 文件大小:

    171.5 kb

  • 资料说明:

    High Energy Power FET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :MTP4N50E

  • Minimum Operating Temperature

    :-55°C

  • Maximum Power Dissipation

    :75000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Gate Source Voltage

    :±20V

  • Maximum Drain Source Voltage

    :500V

  • Maximum Continuous Drain Current

    :4A

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Channel Type

    :N

  • Channel Mode

    :Enhancement

  • Category

    :Power MOSFET

供应商

  • 企业:

    深圳市星佑电子有限公司

  • 商铺:

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  • 联系人:

    李先生.张小姐

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    13682592920/13713568066

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