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MTD6P10E	文件：261.769 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery 文件：261.769 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTD6P10E	文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannel DPAK Power MOSFET 文件：212.11 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD6P10ET4	文件：1.04221 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Power Switch • DC/DC Converters 文件：1.04221 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MTD6P10EG	文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannel DPAK Power MOSFET 文件：212.11 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD6P10ET4	文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannel DPAK Power MOSFET 文件：212.11 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD6P10ET4G	文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannel DPAK Power MOSFET 文件：212.11 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD6P10E	文件：300 bytes Page：1 Pages	P−Channel DPAK Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MTD6P10E
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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