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MTP2N40E	文件：213.84 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP2N40E	文件：217.16 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=3.5OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PHP2N40	文件：57.85 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP2N40	文件：1.08655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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PHP2N40E	文件：1.08657 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP2N40E	文件：21.14 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX2N40E	文件：24.89 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP4N40E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX2N40E	文件：319.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SW2N40D	文件：909.37 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-92/SOT-223MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

详细参数

型号：
MTD2N40E
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 2A
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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