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MUR105	文件：81.54 Kbytes Page：3 Pages	SuperFastSwitchingSpeedForHighEfficiency Features •HighSurgeCapability •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SuperFastSwitchingSpeedForHighEfficiency	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR105	文件：441.75 Kbytes Page：6 Pages	Ultrafast25,50and75NanosecondRecoveryTimes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR105	文件：128.65 Kbytes Page：2 Pages	1AULTRAFASTEFFICIENTRECTIFIER FEATURES ●LOWPOWERLOSS,HIGHEFFICIENCY ●LOWLEAKAGE ●LOWFORWARDVOLTAGEDROP ●HIGHCURRENTCAPABILITY ●HIGHSPEEDSWITCHING ●HIGHRELIABILITY ●HIGHCURRENTSURGE ●GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
MUR105	文件：111.55 Kbytes Page：2 Pages	1.0AAxialLeadedSuperFastRectifier Features ●Lowcost ●Lowleakage ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Easilycleanedwithalcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ●TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MUR105	文件：227.24 Kbytes Page：2 Pages	1.0AHIGHEFFICIENCYRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MUR105	文件：442.23 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS1.0A,50V??600V Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR105	文件：121.83 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR105	文件：382.2 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSuperFastRecoveryRectifier50to1000Volts	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR105	文件：48.27 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHMODEPOWERRECTIRERS SWITCHMODEPOWERRECTIRERS ...designedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes,thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: •Ultrafast25,50and75NanosecondRecoveryTimes •175°COperatingJunctionTemperature •LowForwardVoltage •Low	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR105	文件：115.8 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapabilityLowForwardVoltageDrop	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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产品属性

产品编号：
MTCH105T-I/ST
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 传感器，电容式触控
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
按钮
接近探测：
是
输入数：
最高 5
LED 驱动器通道：
最高 5
接口：
开路漏极
电压 - 供电：
2.05V ~ 3.6V
电流 - 供电：
80mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
14-TSSOP
描述：
IC PROXIMITY DETECTOR 14TSSOP

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