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MTB75N03HDL	文件：304.84 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 75 AMPERES 25 VOLTS HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB75N03HDL	文件：260.49 Kbytes Page：12 Pages	N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MTP75N03	文件：296.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP75N03HDL	文件：235.54 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL75AMPERESRDS(on)=9.0mOHM25VOLTS HDTMOSE-FETHighDensityPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP75N03HDL	文件：195.55 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB75N03	文件：305.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB75N03R	文件：96.89 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET75Amps,25VoltsN?묬hannelD2PAK,TO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB75N03R	文件：73.4 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET75Amps,25VoltsN-ChannelD2PAK,TO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MTB75N03HDL
制造商：
Motorola Inc
功能描述：
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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