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MTB50P03HDL中文资料功率 MOSFET，-30V，-50A，25mΩ，单 P 沟道，D2PAK，逻辑电平数据手册ONSEMI规格书
MTB50P03HDL规格书详情
描述 Description
此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。能效设计还提供了具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。此类器件专用于电源、转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。
特性 Features
• Avalanche Energy Specified
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Short Heatsink Tab ManufacturedNot Sheared
• Specially Designed Leadframe for Maximum Power Dissipation
• Pb-Free Packages are Available
技术参数
- 型号：
MTB50P03HDL
- 功能描述：
MOSFET 30V 50A Logic Level
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ON/安森美 |
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