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MTB2P50ET4G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
MTB2P50ET4G
- 功能描述:
MOSFET PFET 500V 2A 6O
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
D2PAK |
6528 |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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询价 | ||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
287692 |
一级代理,原装现货 |
询价 | ||
ON |
11+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2407+ |
30098 |
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ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
8866 |
询价 | |||||
ONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
1134 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
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询价 |