订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MTB2P50ET4G>详情
MTB2P50ET4G_ON/安森美_MOSFET PFET 500V 2A 6O艾宇特电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
MTB2P50ET4G
- 功能描述:
MOSFET PFET 500V 2A 6O
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市艾宇特电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李 先生
- 手机:
15817287769
- 询价:
- 电话:
0755-83224028/83201767
- 地址:
深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14
相近型号
- MTB2P50
- MTB3055
- MTB2P250ET4G
- MTB3055L-T4
- MTB2P05E
- MTB3055VL
- MTB2N60ET4G
- MTB306D
- MTB2N60E/D
- MTB30N03
- MTB2N60E
- MTB30N06E
- MTB2N40ET4G
- MTB30N06EL
- MTB2N40E/D
- MTB30N06ELT4
- MTB2N40E
- MTB30N06F3
- MTB2D8N03RV8
- MTB30N06J3
- MTB2D8N03RJ3
- MTB30N06L
- MTB2D8N03RH8
- MTB30N06Q8
- MTB2D5N03BQ8
- MTB30N06Q8-0-T3-G
- MTB2D5N03BJ3
- MTB30N06V
- MTB2D5N03BH8-0-T6-G
- MTB30N06V8
- MTB2D5N03BH8
- MTB30N06VL
- MTB2D5N03BE3
- MTB30N06VLG
- MTB2D5N03ATJ3
- MTB30N06VLT4
- MTB2D2N03V8
- MTB30N06VLT4G
- MTB2D0N06RH8
- MTB30N20
- MTB2D0N04H8
- MTB30P06
- MTB2D0N04F3
- MTB30P06J3
- MTB2D0N04E3
- MTB30P06KFP
- MTB29N15ET4G
- MTB30P06KJ3
- MTB29N15ET4
- MTB30P06KQ8