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MT5C6408C	文件：100.81 Kbytes Page：12 Pages	8K x 8 SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C6408, 8K x 8 SRAM, employs high-speed, low-power CMOS technology, eliminating the need for clocks or refreshing. These SRAM’s have equal access and cycle times. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns • Battery Backup: 2V data retention • H 文件：100.81 Kbytes 页数：12 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C6408C-25L	文件：100.81 Kbytes Page：12 Pages	8K x 8 SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C6408, 8K x 8 SRAM, employs high-speed, low-power CMOS technology, eliminating the need for clocks or refreshing. These SRAM’s have equal access and cycle times. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns • Battery Backup: 2V data retention • H 文件：100.81 Kbytes 页数：12 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C6408C-XT	文件：100.81 Kbytes Page：12 Pages	8K x 8 SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C6408, 8K x 8 SRAM, employs high-speed, low-power CMOS technology, eliminating the need for clocks or refreshing. These SRAM’s have equal access and cycle times. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns • Battery Backup: 2V data retention • H 文件：100.81 Kbytes 页数：12 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C6408EC	文件：100.81 Kbytes Page：12 Pages	8K x 8 SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C6408, 8K x 8 SRAM, employs high-speed, low-power CMOS technology, eliminating the need for clocks or refreshing. These SRAM’s have equal access and cycle times. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns • Battery Backup: 2V data retention • H 文件：100.81 Kbytes 页数：12 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C6408EC-IT	文件：100.81 Kbytes Page：12 Pages	8K x 8 SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C6408, 8K x 8 SRAM, employs high-speed, low-power CMOS technology, eliminating the need for clocks or refreshing. These SRAM’s have equal access and cycle times. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns • Battery Backup: 2V data retention • H 文件：100.81 Kbytes 页数：12 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C6408F	文件：100.81 Kbytes Page：12 Pages	8K x 8 SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C6408, 8K x 8 SRAM, employs high-speed, low-power CMOS technology, eliminating the need for clocks or refreshing. These SRAM’s have equal access and cycle times. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns • Battery Backup: 2V data retention • H 文件：100.81 Kbytes 页数：12 Pages	AUSTIN	AUSTIN

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