MT5C1008F-25LSLASH883C中文资料AUSTIN数据手册PDF规格书

厂商型号	MT5C1008F-25LSLASH883C
功能描述	128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS
文件大小	187.15 Kbytes
页面数量	17 页
生产厂商	AUSTIN
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更新时间	2025-11-29 23:00:00
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MT5C1008F-25LSLASH883C规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology.

FEATURES

• High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns

• Battery Backup: 2V data retention

• Low power standby

• High-performance, low-power CMOS process

• Single +5V (+10%) Power Supply

• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options.

• All inputs and outputs are TTL compatible

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