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MT5C1008DCJ-25LSLASH883C	文件：187.15 Kbytes Page：17 Pages	128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS GENERALDESCRIPTION TheMT5C1008SRAMemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingafour-transistormemorycell,andarefabricatedusingdouble-layermetal,double-layerpolysilicontechnology. FEATURES •HighSpeed:12,15,20,25,35,45,55and70ns •BatteryBackup:2Vdataretentio	AUSTIN Austin Semiconductor	AUSTIN

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MT5C1008DCJ-25LSLASH883C

文件：187.15 Kbytes

Page：17 Pages

128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

GENERALDESCRIPTION TheMT5C1008SRAMemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingafour-transistormemorycell,andarefabricatedusingdouble-layermetal,double-layerpolysilicontechnology. FEATURES •HighSpeed:12,15,20,25,35,45,55and70ns •BatteryBackup:2Vdataretentio

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更多MT5C1008DCJ-25LSLASH883C供应商更新时间2025-5-28 14:15:00

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