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MT5C1008CW-25LSLASH883C	文件：187.15 Kbytes Page：17 Pages	128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS GENERAL DESCRIPTION The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns • Battery Backup: 2V data retentio 文件：187.15 Kbytes 页数：17 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5PS2G431MCP-C4E	文件：0 bytes Page：0 Pages	POIYSTAK BGA	POIYSTAK 上传：深圳市星佑电子有限公司	POIYSTAK
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更多MT5C1008CW-25LSLASH883C供应商更新时间2025-9-26 16:21:00