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MT5C1008CW-20SLASH883C

128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

GENERAL DESCRIPTION The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology. FEATURES • High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns • Battery Backup: 2V data retentio

文件:187.15 Kbytes 页数:17 Pages

AUSTIN

MT5C1008CW-25/883C

MICROSS
CDIP32

MT5PS2G431MCP-C4E

POIYSTAK
BGA

POIYSTAK

MT6139AN/F

MTK
SMD

MTK

MT6140CN/D

MTK

MTK

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MICROSS
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更多MT5C1008CW-20SLASH883C供应商 更新时间2025-10-9 13:52:00