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MT5C1008C-35SLASH883C中文资料AUSTIN数据手册PDF规格书

MT5C1008C-35SLASH883C
厂商型号

MT5C1008C-35SLASH883C

功能描述

128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

文件大小

187.15 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Austin Semiconductor
企业简称

AUSTIN

中文名称

Austin Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-20 20:00:00

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MT5C1008C-35SLASH883C规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology.

FEATURES

• High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns

• Battery Backup: 2V data retention

• Low power standby

• High-performance, low-power CMOS process

• Single +5V (+10%) Power Supply

• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options.

• All inputs and outputs are TTL compatible

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