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MT5C1001C	文件：166.87 Kbytes Page：13 Pages	SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C1001 employs low power, high-performance silicon-gate CMOS technology. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes while CMOS circuitry reduces power consumption and provides for greater reliability. FEATURES • High Speed: 20, 25, 35, and 文件：166.87 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-20L	文件：166.87 Kbytes Page：13 Pages	SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C1001 employs low power, high-performance silicon-gate CMOS technology. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes while CMOS circuitry reduces power consumption and provides for greater reliability. FEATURES • High Speed: 20, 25, 35, and 文件：166.87 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-IT	文件：166.87 Kbytes Page：13 Pages	SRAM GENERAL DESCRIPTION The MT5C1001 employs low power, high-performance silicon-gate CMOS technology. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes while CMOS circuitry reduces power consumption and provides for greater reliability. FEATURES • High Speed: 20, 25, 35, and 文件：166.87 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-20/883C	文件：100.29 Kbytes Page：13 Pages	1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY 文件：100.29 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-20/IT	文件：100.29 Kbytes Page：13 Pages	1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY 文件：100.29 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-20/XT	文件：100.29 Kbytes Page：13 Pages	1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY 文件：100.29 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-20L/883C	文件：100.29 Kbytes Page：13 Pages	1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY 文件：100.29 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
MT5C1001C-20L/IT	文件：100.29 Kbytes Page：13 Pages	1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY 文件：100.29 Kbytes 页数：13 Pages	AUSTIN	AUSTIN
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详细参数

型号：
MT5C1001C
功能描述：
SRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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