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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B_集成电路(IC) 存储器-镁光

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1360+
  • 厂家型号:

    MT53E512M32D1ZW-046 WT:B

  • 制造商:

    MICRON/镁光

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    200-TFBGA

  • 包装:

    托盘

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-6-19 10:02:00

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原厂料号:MT53E512M32D1ZW-046 WT:B品牌:Micron Technology Inc.

资料说明:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装200-TFBGA的MT53E512M32D1ZW-046 WT:B存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    mt53e512m32d1zw-046%20wt:b

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    MICRON【镁光】详情

  • 厂商全称:

    Micron Technology Inc.

  • 中文名称:

    美国镁光科技有限公司

  • 资料说明:

    IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MT53E512M32D1ZW-046 WT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存储容量:

    16Gb(512M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    18ns

  • 电压 - 供电:

    1.06V ~ 1.17V

  • 工作温度:

    -25°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    200-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    200-TFBGA(10x14.5)

  • 描述:

    IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICRON/美光
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