MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR中文资料动态随机存取存储器 LPDDR4 12G 384MX32 FBGA XT DDP数据手册Micron规格书

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厂商型号

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR

参数属性

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR 封装/外壳为200-WFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

功能描述

动态随机存取存储器 LPDDR4 12G 384MX32 FBGA XT DDP

封装外壳

200-WFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 9:21:00

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MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 产品编号:

    MT53E384M32D2DS-053 WT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存储容量:

    12Gb(384M x 32)

  • 电压 - 供电:

    1.1V

  • 工作温度:

    -30°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    200-WFBGA

  • 供应商器件封装:

    200-WFBGA(10x14.5)

  • 描述:

    IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

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