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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR_集成电路(IC) 存储器-镁光

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  • 厂家型号:

    MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

  • 制造商:

    MICRON/镁光

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    200-WFBGA

  • 包装:

    托盘

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-31 10:02:00

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原厂料号:MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR品牌:Micron Technology Inc.

资料说明:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装200-WFBGA的MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    mt53e256m32d2ds-053%20wt:b%20tr

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    MICRON【镁光】详情

  • 厂商全称:

    Micron Technology Inc.

  • 中文名称:

    美国镁光科技有限公司

  • 资料说明:

    IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MT53E256M32D2DS-053 WT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存储容量:

    8Gb(256M x 32)

  • 电压 - 供电:

    1.1V

  • 工作温度:

    -30°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    200-WFBGA

  • 供应商器件封装:

    200-WFBGA(10x14.5)

  • 描述:

    IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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