MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR中文资料IC DRAM 12G 1866MHZ数据手册Micron规格书
| 厂商型号 |
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR |
| 参数属性 | MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR 封装/外壳为200-WFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 12GBIT 1866MHZ 200WFBGA |
| 功能描述 | IC DRAM 12G 1866MHZ |
| 封装外壳 | 200-WFBGA |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 15:59:00 |
| 人工找货 | MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
相关芯片规格书
更多- MT53D1024M32D4DT-053 WT
- MT53D1024M32D4DT-053 AAT
- MT53D1024M32D4DT-053 AIT
- MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
- MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D TR
- MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR
- MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D
- MT53D1024M32D4DT-053 WT:D
- MT53D1024M32D4DT-046 WT
- MT53D1024M32D4DT-046 AUT
- MT53D1024M32D4DT-046 AIT
- MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D
- MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E
技术参数
- 制造商编号
：MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR
- 生产厂家
：Micron
- 存储器格式
：DRAM
- 技术
：SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量
：12Gb（384M x 32）
- 时钟频率
：1866MHz
- 写周期时间 - 字，页
：-
- 存储器接口
：-
- 电压 - 电源
：1.1V
- 工作温度
：-30°C ~ 105°C（TC）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron Technology Inc. |
25+ |
200-WFBGA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Micron |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Micron Technology Inc. |
24+ |
- |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Micron |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
MICRON |
25+ |
IC |
1001 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 |
相关库存
更多- MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E
- MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR
- MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D TR
- MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D
- MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D
- MT53D1G64D4NW-046 WT
- MT53D1536M32D6BE-053 WT:D
- MT53D1024M64D8PM-053 WT:D
- MT53D1G64D4NW-046 WT:A
- MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D
- MT53D1G64D8SQ-046 WT ES:E
- MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR
