MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B中文资料动态随机存取存储器数据手册Micron规格书
| 厂商型号 |
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B |
| 参数属性 | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B 封装/外壳为200-WFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA |
| 功能描述 | 动态随机存取存储器 |
| 封装外壳 | 200-WFBGA |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 16:02:00 |
| 人工找货 | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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技术参数
- 产品编号：
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量：
16Gb（512M x 32）
- 电压 - 供电：
1.1V
- 工作温度：
-30°C ~ 85°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
200-WFBGA
- 供应商器件封装：
200-WFBGA（11x14.5）
- 描述：
IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON/美光 |
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MICRON/美光 |
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