MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR中文资料IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA数据手册Micron规格书

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厂商型号

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

参数属性

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR 封装/外壳为200-WFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA

功能描述

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

封装外壳

200-WFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 16:30:00

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MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

  • 生产厂家

    :Micron

  • 存储器格式

    :DRAM

  • 技术

    :SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存储容量

    :8Gb (256M x 32)

  • 时钟频率

    :1600MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 存储器接口

    :-

  • 电压 - 电源

    :1.1V

  • 工作温度

    :-30°C ~ 85°C(TC)

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