MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR中文资料IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA数据手册Micron规格书
| 厂商型号 |
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR |
| 参数属性 | MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR 封装/外壳为200-WFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA |
| 功能描述 | IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA |
| 封装外壳 | 200-WFBGA |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 17:20:00 |
| 人工找货 | MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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技术参数
- 制造商编号
：MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
- 生产厂家
：Micron
- 存储器格式
：DRAM
- 技术
：SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量
：8Gb （256M x 32）
- 时钟频率
：1600MHz
- 写周期时间 - 字，页
：-
- 存储器接口
：-
- 电压 - 电源
：1.1V
- 工作温度
：-30°C ~ 85°C（TC）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron Technology Inc. |
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200-WFBGA |
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