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MT4LC8M8C2TG-6	文件：397.75 Kbytes Page：22 Pages	DRAM GENERAL DESCRIPTION The 8 Meg x 8 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory devices containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The MT4LC8M8C2 and MT4LC8M8P4 are functionally organized as 8,388,608 locations containing eight bits each. FEATURES • Single +3. 文件：397.75 Kbytes 页数：22 Pages	Micron 美光	Micron
MT5002	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-6/DFN2X2-8	AEROSEMI航天民芯上传：深圳广友电子有限公司	AEROSEMI航天民芯
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详细参数

型号：
MT4LC8M8C2TG-6
制造商：
MICRON
制造商全称：
Micron Technology
功能描述：
DRAM

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