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MT4C4M4E9TGS	文件：291.14 Kbytes Page：23 Pages	4 MEG x 4 EDO DRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx4DRAMisarandomlyaccessed,solid-statememorycontaining16,777,216bitsorganizedinax4configuration.RAS#isusedtolatchtherowaddress(first11bitsfor2Kandfirst12bitsfor4K).OncethepagehasbeenopenedbyRAS#,CAS#isusedtolatchthecol	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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MT4C4M4E9DJ	文件：291.14 Kbytes Page：23 Pages	4MEGx4EDODRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx4DRAMisarandomlyaccessed,solid-statememorycontaining16,777,216bitsorganizedinax4configuration.RAS#isusedtolatchtherowaddress(first11bitsfor2Kandfirst12bitsfor4K).OncethepagehasbeenopenedbyRAS#,CAS#isusedtolatchthecol	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT4C4M4E9DJS	文件：291.14 Kbytes Page：23 Pages	4MEGx4EDODRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx4DRAMisarandomlyaccessed,solid-statememorycontaining16,777,216bitsorganizedinax4configuration.RAS#isusedtolatchtherowaddress(first11bitsfor2Kandfirst12bitsfor4K).OncethepagehasbeenopenedbyRAS#,CAS#isusedtolatchthecol	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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详细参数

型号：
MT4C4M4E9TGS
制造商：
MICRON
制造商全称：
Micron Technology
功能描述：
4 MEG x 4 EDO DRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MT4C4M4E9TGS供应商更新时间2025-5-22 16:52:00

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