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MT4C4M4A1TG-6	文件：360.23 Kbytes Page：20 Pages	DRAM GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 4 DRAM is a randomly accessed, solidstate memory containing 16,777,216 bits organized in a x4 configuration. RAS# is used to latch the row address (first 11 bits for 2K and first 12 bits for 4K). Once the page has been opened by RAS#, CAS# is used to latch the colu 文件：360.23 Kbytes 页数：20 Pages	Micron 美光	Micron
MT4C4M4A1TG-6S	文件：360.23 Kbytes Page：20 Pages	DRAM GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 4 DRAM is a randomly accessed, solidstate memory containing 16,777,216 bits organized in a x4 configuration. RAS# is used to latch the row address (first 11 bits for 2K and first 12 bits for 4K). Once the page has been opened by RAS#, CAS# is used to latch the colu 文件：360.23 Kbytes 页数：20 Pages	Micron 美光	Micron
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更多MT4C4M4A1TG-6供应商更新时间2025-12-16 14:27:00