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MT48LC8M16A2TG-6A:G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48LC8M16A2TG-6A:G TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48LC8M16A2TG-6A	文件：115.87 Kbytes Page：4 Pages	SYNCHRONOUSDRAM GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

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MT48LC8M16A2TG-6A:G

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包装：托盘封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT48LC8M16A2TG-6A:G TR

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包装：托盘封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT48LC8M16A2TG-6A

文件：115.87 Kbytes

Page：4 Pages

SYNCHRONOUSDRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

产品属性

产品编号：
MT48LC8M16A2TG-6A
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
128Mb（8M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
54-TSOP II
描述：
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MT48LC8M16A2TG-6A:G供应商更新时间2024-5-1 16:18:00

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