| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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MICRONBGA/TSOP |
50000 |
21+ |
特价来袭!美光一级代理入驻114电子网 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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MICRON/美光TSOP |
12356 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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MICTSOP56 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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MICTSOP56 |
30000 |
23 |
代理全新原装现货 价格优势 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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MICRON |
7 |
0748 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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MICRONTSOP54 |
5280 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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MicronBGA60 |
210000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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MICRONBGA |
7933 |
2021+ |
原装正品假一罚十 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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MICRONTSOP54 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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MICRONTSOP |
256800 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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MICRONTSOP54 |
90000 |
公司集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货- |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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MICRON/美光TSOP-54 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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MICRONTSSOP54 |
14 |
04+ |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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MICRONNew |
34521 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TSSOP54 |
68900 |
MT |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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MICRONTSOP |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Micron60FBGA (8x16) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市诺美思科技有限公司15年
留言
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Micron Technology Inc54-TSOP |
8600 |
23+/24+ |
只供原装进口公司现货+可订货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司13年
留言
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MTTSSOP |
5632 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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MTTSOP54 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
MT48LC32M4A2TG-75 L:G TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MT48LC32M4A2TG-75 L:G TR图片
MT48LC32M8A2-75D中文资料Alldatasheet PDF
更多MT48LC32M4A2TG-75 L:G TR功能描述:IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TSOP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
产品属性
- 产品编号：
MT48LC32M4A2TG-75 L
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
128Mb（32M x 4）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
54-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
