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MT47H64M16NF-25E AAT:M TR

包装:托盘 封装/外壳:84-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT47H64M16NF-25E AIT:M

包装:托盘 封装/外壳:84-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT47H64M16NF-25E AIT:M TR

包装:托盘 封装/外壳:84-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MT47H64M16NF-25E AIT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    84-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    84-FBGA(8x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

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更多MT47H64M16NF-25E供应商 更新时间2024-5-2 16:28:00