DDR2 SDRAM

MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks

MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks

MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

Features

• VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V

• JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)

• Differential data strobe (DQS, DQS#) option

• 4n-bit prefetch architecture

• Duplicate output strobe (RDQS) option for x8

• DLL to align DQ and DQS transitions with CK

• 8 internal banks for concurrent operation

• Programmable CAS latency (CL)

• Posted CAS additive latency (AL)

• WRITE latency = READ latency - 1 tCK

• Selectable burst lengths (BL): 4 or 8

• Adjustable data-output drive strength

• 64ms, 8192-cycle refresh

• On-die termination (ODT)

• Industrial temperature (IT) option

• Automotive temperature (AT) option

• RoHS-compliant

• Supports JEDEC clock jitter specification

MT47H128M8属于集成电路（IC） > 存储器。美国镁光科技有限公司制造生产的MT47H128M8存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。