| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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MIRONTSOP |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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MICRONTSOP66 |
3587 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MIRONTSOP |
70 |
23+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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MICRON原厂封装 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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MIRONTSOP |
8635 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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MICRON/美光TSSOP |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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MICRONSOP |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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MICRON |
200 |
04+34 |
公司优势库存 热卖中! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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MICRON/美光TSOP |
13407 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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MICRONTSOP |
256800 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MICRON/镁光TSSOP54 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MICRON/镁光TSOP |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Micron66TSOP |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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MICRON/美光TSSOP |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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MICRONTSOP-66 |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司9年
留言
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Micron66TSOP |
28500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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MICRONSOP |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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MICRONBGA/TSOP |
50000 |
21+ |
特价来袭!美光一级代理入驻114电子网 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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MIRONTSOP |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MIRONTSOP |
70 |
0312+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
MT46V32M8TG-75 L:G采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MT46V32M8TG-75 L:G图片
MT46V32M8TG-75C中文资料Alldatasheet PDF
更多MT46V32M8TG-75 L:G功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT46V32M8TG-75 L:G TR功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
产品属性
- 产品编号：
MT46V32M8TG-75 L
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR
- 存储容量：
256Mb（32M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
- 供应商器件封装：
66-TSOP
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
