| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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micron(镁光)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICRON/美光FBGA |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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MICRON/美光BGA |
6000 |
原装现货长期供货账期支持 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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MICRON/美光FBGA |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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MICRONBGA |
5700 |
2015+ |
进口原装正品 能17%开增值发票 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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micron(镁光)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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MICRONBGA |
20000 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICRONBGA |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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MICRON/美光FBGA |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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MICRON/美光BGA |
6000 |
原装现货长期供货账期支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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micron(镁光)标准封装 |
9761 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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MICRON/美光BGA |
2890 |
19+ |
进口原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MRON/美光NA/ |
2600 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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MICBGA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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MICRONFBGA |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MICRON/美光FBGA |
2218 |
1206+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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MICRON/美光FBGA |
2600 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MICRON/美光FBGA |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Micron/Micron Technology Inc./BGA |
2732 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
MT46V32M16FN-6采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MT46V32M16FN-6图片
MT46V32M16FN-6中文资料Alldatasheet PDF
更多MT46V32M16FN-6 IT:C功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT46V32M16FN-6 IT:C TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
MT46V32M16FN-6 IT:F功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷(TR)
MT46V32M16FN-6 IT:F TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
MT46V32M16FN-6:C功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT46V32M16FN-6:C TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT46V32M16FN-6:F功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷(TR)
MT46V32M16FN-6:F TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷(TR)
MT46V32M16FN-6IT制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
