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京海半导体(深圳)有限公司

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MT46V32M16BN-6IT:F

MICRON/镁光BGA

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原厂原装正品现货!!

深圳市恒佳微电子有限公司

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MICRON/镁光BGA

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十年专营,原装现货,假一赔十

深圳市卓越微芯电子有限公司

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MICRONFBGA

18600

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市昌和盛利电子有限公司

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MICRON原装正品专卖价60-FBGA

11923

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专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市恒佳微电子有限公司

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MICRON/镁光BGA

380

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十年专营,原装现货,假一赔十

深圳市振鑫微电子科技有限公司

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micron(镁光)N/A

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新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!

深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

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MICRON/美光BGA

6000

原装现货长期供货账期支持

深圳市富诚威科技有限公司

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MICRON/镁光BGA

2769

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绝对原装!公司现货!

深圳市华来深电子有限公司

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MICRONFBGA60

1896

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原包装原标签特价销售

深圳市河锋鑫科技有限公司

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MICRON/美光BGA

80

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原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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MICRONBGA

6800

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原厂原装,欢迎咨询

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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MICRON原厂封装

21055

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原装正品,实单请联系

深圳市昊创电子有限公司

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MICRONFBGA-60

9450

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原装现货。

深圳市瑞浩芯科技有限公司

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MICRON/镁光BGA

15000

21+

全新原装现货,假一赔十

京海半导体(深圳)有限公司

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MICRON/镁光BGA

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只做原装,支持实单

深圳市拓亿芯电子有限公司

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MRON/美光BGA

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深圳市胜彬电子有限公司

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MT46V32M16BN-5

MICRONBGA

10000

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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micron(镁光)标准封装

52048

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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Micron Technology Inc.60-FBGA(10x12.5)

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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MICRON/镁光BGA

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MT46V32M16BN-5B IT:F功能描述:IC SDRAM 512MB 200MHZ 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷(TR)

MT46V32M16BN-5B L IT:F功能描述:IC SDRAM 512MB 200MHZ 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA(7x7) 包装:托盘

MT46V32M16BN-5B:C功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869

MT46V32M16BN-5B:C TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869

MT46V32M16BN-5B:F功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷(TR)

MT46V32M16BN-5B:F TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K(4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷(TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR

MT46V32M16BN-6 IT:F功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷(TR)

MT46V32M16BN-6 IT:F TR功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷(TR)

MT46V32M16BN-6 L IT:F制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 DDR SDRAM PLASTIC LOW POWER IND TEMP PBF FBGA 2.5V - Trays

MT46V32M16BN-6 L IT:F TR制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 DDR SDRAM PLASTIC LOW POWER IND TEMP PBF FBGA 2.5V - Tape and Reel