Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP

Micron Technology Inc.

Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP

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Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP

Micron Technology Inc.

DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM

General Description The 1Gb DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 1,073,741,824 bits. It is internally configured as a quad bank DRAM. Features •VDD= +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V • Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/received with data, i.

文件：2.35495 Mbytes 页数：74 Pages

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