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MT46H32M16LFBF-6 IT:C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：60-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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MT46H32M16LFBF-6ITC	文件：3.10679 Mbytes Page：96 Pages	512Mb:x16,x32MobileLow-PowerDDRSDRAMFeatures MobileLow-PowerDDRSDRAM Features •VDD/VDDQ=1.70–1.95V •Bidirectionaldatastrobeperbyteofdata(DQS) •Internal,pipelineddoubledatarate(DDR)architecture;twodataaccessesperclockcycle •Differentialclockinputs(CKandCK#) •Commandsenteredoneachpositi	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

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包装：卷带（TR）封装/外壳：60-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR

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包装：托盘封装/外壳：60-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT46H32M16LFBF-6ITC

文件：3.10679 Mbytes

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512Mb:x16,x32MobileLow-PowerDDRSDRAMFeatures

MobileLow-PowerDDRSDRAM Features •VDD/VDDQ=1.70–1.95V •Bidirectionaldatastrobeperbyteofdata(DQS) •Internal,pipelineddoubledatarate(DDR)architecture;twodataaccessesperclockcycle •Differentialclockinputs(CKandCK#) •Commandsenteredoneachpositi

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

产品属性

产品编号：
MT46H32M16LFBF-6 IT
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量：
512Mb（32M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
60-VFBGA
供应商器件封装：
60-VFBGA（8x9）
描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

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更多MT46H32M16LFBF-6 IT:C供应商更新时间2024-5-27 16:50:00

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