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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR_集成电路(IC) 存储器-镁光

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1+
  • 厂家型号:

    MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

  • 制造商:

    MICRON/镁光

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    54-VFBGA

  • 包装:

    托盘

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-29 15:39:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:MT45W1MW16BDGB-708 AT TR品牌:Micron Technology Inc.

资料说明:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

MT45W1MW16BDGB-708 AT TR是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装54-VFBGA的MT45W1MW16BDGB-708 AT TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    mt45w1mw16bdgb-708%20at%20tr

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    MICRON【镁光】详情

  • 厂商全称:

    Micron Technology Inc.

  • 中文名称:

    美国镁光科技有限公司

  • 资料说明:

    IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    PSRAM

  • 技术:

    PSRAM(伪 SRAM)

  • 存储容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-VFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Micron
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54-VFBGA
65480
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Micron
22+
54VFBGA (6x8)
9000
原厂渠道,现货配单
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Micron
23+
54VFBGA (6x8)
9000
原装正品,支持实单
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Micron
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54VFBGA (6x8)
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