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MT41K512M8V00HWC1-N001中文资料IC DRAM 4G PARALLEL数据手册Micron规格书

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厂商型号

MT41K512M8V00HWC1-N001

参数属性

MT41K512M8V00HWC1-N001 包装为盒;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL

功能描述

IC DRAM 4G PARALLEL

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:22:00

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MT41K512M8V00HWC1-N001价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :MT41K512M8V00HWC1-N001

  • 生产厂家

    :Micron

  • 存储器格式

    :DRAM

  • 技术

    :SDRAM - DDR3L

  • 存储容量

    :4Gb (512M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :1.283V ~ 1.45V

  • 工作温度

    :0°C ~ 95°C(TC)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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