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MT41J64M16JT-125E:G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：96-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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MT41J64M16JT-125E:G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：96-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT41J64M16JT-125G

文件：2.93817 Mbytes

Page：214 Pages

DDR3SDRAMMT41J256M4??32Megx4x8banksMT41J128M8??16Megx8x8banksMT41J64M16??8Megx16x8banks

MT41J256M4–32Megx4x8banks MT41J128M8–16Megx8x8banks MT41J64M16–8Megx16x8banks DDR3SDRAMusesadoubledataratearchitecturetoachievehigh-speedoperation.Thedoubledataratearchitectureisan8n-prefetcharchitecturewithaninterfacedesignedtotransfer

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

产品属性

产品编号：
MT41J64M16JT-125E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR3
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
工作温度：
0°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
96-TFBGA
供应商器件封装：
96-FBGA（8x14）
描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA

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更多MT41J64M16JT-125E:G供应商更新时间2024-5-21 14:00:00

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