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MT41J512M4HX-187E:D中文资料IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA数据手册Micron规格书

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厂商型号

MT41J512M4HX-187E:D

参数属性

MT41J512M4HX-187E:D 封装/外壳为78-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA

功能描述

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

封装外壳

78-TFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 18:35:00

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MT41J512M4HX-187E:D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :MT41J512M4HX-187E:D

  • 生产厂家

    :Micron

  • 存储器格式

    :DRAM

  • 技术

    :SDRAM - DDR3

  • 存储容量

    :2Gb (512M x 4)

  • 时钟频率

    :533MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 访问时间

    :13.125ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :1.425V ~ 1.575V

  • 工作温度

    :0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :78-TFBGA

  • 供应商器件封装

    :78-FBGA(9x11.5)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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