MT40A2G8NEA-062E:R TR_集成电路（IC）存储器-镁光

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2000+	¥221.51304

厂家型号：
MT40A2G8NEA-062E:R TR
制造商：
MICRON/镁光
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
78-TFBGA
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-26 14:08:00

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原厂料号：MT40A2G8NEA-062E:R TR品牌：Micron Technology Inc.

资料说明：MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

MT40A2G8NEA-062E:R TR是集成电路（IC） > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装78-TFBGA的MT40A2G8NEA-062E:R TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
mt40a2g8nea-062e:r%20tr
规格书：
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企业简称：
MICRON【镁光】详情
厂商全称：
Micron Technology Inc.
中文名称：
美国镁光科技有限公司
资料说明：
MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

产品属性

类型
描述
产品编号：
MT40A2G8NEA-062E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR4
存储容量：
16Gb（2G x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.14V ~ 1.26V
工作温度：
0°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
78-TFBGA
供应商器件封装：
78-FBGA（7.5x11）
描述：
MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

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MT40A2G8NEA-062E:R TR

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