| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
MT3S111TU
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
4400
- 产品封装：
SOT23-3
- 生产批号：
13+16+
- 库存类型：
- 更新时间：
2024-5-16 15:00:00
首页>MT3S111TU,LF>详情
MT3S111TU 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 TOSHIBA/东芝
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
MT3S111TU,LF
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
10GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
- 增益：
12.5dB
- 功率 - 最大值：
800mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
UFM
- 描述：
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
供应商
- 企业：
天津市博通航睿技术有限公司
- 商铺：
- 联系人：
马总
- 手机：
18322198211
- 询价：
- 电话：
18322198211
- 地址：
天津市南开区科研西路12号356室
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