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- 厂家型号:
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
- 制造商:
- 库存数量:
0
- 类别:
- 封装外壳:
121-WFBGA
- 包装:
卷带(TR)
- 安装类型:
表面贴装型
- 更新时间:
2024-6-4 17:39:00
首页>热销型号第6936页>MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR>详情
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121-WFBGA
卷带(TR)
表面贴装型
2024-6-4 17:39:00
原厂料号:MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR品牌:Micron Technology Inc.
资料说明:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装121-WFBGA的MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
描述
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
Micron Technology Inc.
集成电路(IC) > 存储器
卷带(TR)
非易失
FLASH,RAM
FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
1Gb(128M x 8)(NAND),512M(32M x 16)(LPDDR2)
并联
1.8V
-25°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
121-WFBGA
121-VFBGA(8x7.5)
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Micron |
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